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厂商型号

2SC3646T-P-TD-E 

产品描述

2SC3646T-P-TD-E, Bipolar Transistor, NPN 1A 100V HFE:200 1MHz, 3-Pin PCP

内部编号

277-2SC3646T-P-TD-E

生产厂商

ON Semiconductor

onsemi

#1

数量:2000
1+¥2.6197
25+¥2.4656
100+¥2.3885
500+¥2.2344
1000+¥2.1574
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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#2

数量:2000
1+¥2.6197
25+¥2.4656
100+¥2.3885
500+¥2.2344
1000+¥2.1574
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#3

数量:3000
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

2SC3646T-P-TD-E产品详细规格

类别 High Voltage Switching
配置 Single
外形尺寸 4.5 x 2.5 x 1.5mm
身高 1.5mm
长度 4.5mm
最大的基射极饱和电压 1.2 V
最大集电极基极电压 120 V
最大集电极发射极饱和电压 0.4 V
最大集电极发射极电压 100 V
集电极最大直流电流 1 A
最大基地发射极电压 6 V
最大工作频率 1 MHz
最高工作温度 +150 °C
最大功率耗散 1.3 W
最小直流电流增益 200
安装类型 Surface Mount
每个芯片的元件数 1
包装类型 PCP
引脚数 3
晶体管类型 NPN
宽度 2.5mm
电流 - 集电极( Ic)(最大) 1A
频率 - 转换 120MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 400mV @ 40mA, 400mA
电流 - 集电极截止(最大) 100nA (ICBO)
标准包装 1,000
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 100V
供应商设备封装 PCP
封装 Tape & Reel (TR)
功率 - 最大 500mW
封装/外壳 TO-243AA
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 200 @ 100mA, 5V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
系列 2SC3646T-P-TD-E
品牌 ON Semiconductor
RoHS RoHS Compliant

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