类别 | High Voltage Switching |
配置 | Single |
外形尺寸 | 4.5 x 2.5 x 1.5mm |
身高 | 1.5mm |
长度 | 4.5mm |
最大的基射极饱和电压 | 1.2 V |
最大集电极基极电压 | 120 V |
最大集电极发射极饱和电压 | 0.4 V |
最大集电极发射极电压 | 100 V |
集电极最大直流电流 | 1 A |
最大基地发射极电压 | 6 V |
最大工作频率 | 1 MHz |
最高工作温度 | +150 °C |
最大功率耗散 | 1.3 W |
最小直流电流增益 | 200 |
安装类型 | Surface Mount |
每个芯片的元件数 | 1 |
包装类型 | PCP |
引脚数 | 3 |
晶体管类型 | NPN |
宽度 | 2.5mm |
电流 - 集电极( Ic)(最大) | 1A |
频率 - 转换 | 120MHz |
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 | 400mV @ 40mA, 400mA |
电流 - 集电极截止(最大) | 100nA (ICBO) |
标准包装 | 1,000 |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 100V |
供应商设备封装 | PCP |
封装 | Tape & Reel (TR) |
功率 - 最大 | 500mW |
封装/外壳 | TO-243AA |
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 | 200 @ 100mA, 5V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
系列 | 2SC3646T-P-TD-E |
品牌 | ON Semiconductor |
RoHS | RoHS Compliant |
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